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● 優于(yu)SI器件(jian)10倍的(de)FOM值(zhi)

● 可高(gao)達(da)100V/nS的開關(guan)速度

● 開關損(sun)耗僅為SI器(qi)件的10%

● 超高(gao)的極限脈沖(chong)BV耐壓(ya)值(zhi)（650V→750V+）

● 效率提高+0.5%~+3%

● 超低Crss，良好EMC表現

● 功(gong)率(lv)密度提(ti)升50%+

● 散熱器體積減小(xiao)2/3

● 感性器件(jian)體積(ji)可減小70%

● 低導(dao)通(tong)電(dian)阻，低導(dao)通(tong)損失

● 功率密度提升50%+

● ESD 保護，HBM>1KV

● 無反向(xiang)恢復電荷